Hồi đầu tháng 4, một số thông tin cho biết Samsung đang chế tạo chip 10 nm DDR4 RAM nhanh hơn so với các mô-đun bộ nhớ RAM mà hãng đã tạo ra trước đây dựa trên quy trình công nghệ 20 nm khoảng 30%, và hiệu quả điện năng lên đến 20%.
Ở thời điểm đó, một số thông tin nói rằng RAM mới có thể được xuất hiện trên máy Mac mới và iPhone 7 ra mắt năm nay. Tuy nhiên, điều này dường như không xảy ra.
Theo một báo cáo từ nguồn đáng tin cậy, iPhone 7 Plus sẽ có RAM 3 GB, máy ảnh ống kính kép với các tính năng nâng cao hình ảnh đòi hỏi nhiều bộ nhớ RAM. Rất có thể, Apple tính trang bị bộ nhớ RAM có tốc độ nhanh nhất, và Samsung có vẻ là đại diện có thể thực hiện điều này.
Ngoài dòng iPhone 7, Galaxy Note 6 cũng dự kiến sẽ đi kèm bộ nhớ RAM 10 nm DDR4. Nhưng vì đây là một điện thoại của Samsung nên nhiều khả năng Samsung sẽ trang bị cho sản phẩm của mình RAM dung lượng cao hơn bất kỳ sản phẩm nào khác của hãng, mà cụ thể là 6 GB.
Tại sự kiện Samsung Mobile Solution Forum vừa diễn ra ở tỉnh Thâm Quyến, Trung Quốc, Samsung đã công bố giải pháp DRAM 10 nm LPDDR4 6 GB cho Galaxy Note 6 mà hãng ra mắt năm nay.
Không có thông tin chính thức vào điều này, nhưng chuẩn RAM mới của Samsung có thể bộ nhớ vận hành cho iPhone 7 Plus và Galaxy Note 6.