exynos_002_rqyx.jpg

Exynos 7 Octa 7870.

 Exynos 7 Octa 7870 được sản xuất dựa trên công nghệ quy trình 14 nm FinFET tiên tiến nhất của công ty. Động thái diễn ra chỉ vài ngày sau khi Qualcomm giới thiệu Snapdragon 625 8 lõi 14 nm. Chip xử lý này mang modem LTE Cat.6, cung cấp tốc độ tải về tới 300 Mb/giây và tổng hợp sóng mang chung FDD-TDD.

“Chip xử lý Exynos 7 Octa 7870 mới tiêu thụ năng lượng ít hơn 30% so với các chip di động được xây dựng bằng quy trình 28 nm High-k Metal Gate với cùng một mức độ hoạt động”, Samsung cho hay.

Chi tiết kỹ thuật Exynos 7 Octa 7870:

• Bộ xử lý trung tâm 8 lõi Cortex A53, tốc độ xử lý 1,6 GHz.

• Công nghệ quy trìnn 14nm LPP FinFET

• Modem LTE Cat.6, tốc độ tải về tối đa 300 Mb/giây và tổng hợp sóng mang chung FDD-TDD.

• Độ phân giải màn hình WUXGA (1920 × 1200 p).

• Xem video 60 hình/giây, độ phân giải 1080 p.

• Hỗ trợ camera sau và trước tới 16 MP.

• Tích hợp giải pháp GNSS hỗ trợ chuyển tiếp nhanh và chính xác dịch vụ dựa trên vị trí.

Exynos 7 Octa 7870 sẽ đi vào sản xuất hàng loạt trong quý I/2016. Samsung nói rằng quy trình 14 nm FinFET trước hết sẽ được sử dụng bởi dòng chip Exynos 7 Octa, sau đó mở rộng ra các sản phẩm khác trong năm./.