Samsung cho biết mô-đun RAM DDR5 của hãng được sản xuất bằng công nghệ xử lý high-k metal gate (HKMG), cung cấp tốc độ truyền dữ liệu lên đến 7.200Mbps, cao hơn gấp đôi so với DDR4 thông thường. Công ty đã xếp chồng 8 lớp chip DRAM 16Gb cho mô-đun siêu khủng này.
Công ty thông tin thêm, lượng bộ nhớ DRAM này có thể xử lý khối lượng công việc băng thông cao trong các ứng dụng như siêu máy tính, trí tuệ nhân tạo, máy học và phân tích dữ liệu. Theo gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc, việc sử dụng công nghệ HKMG cho lớp cách nhiệt, thay vì silicon oxynitride truyền thống, sẽ cho phép mô-đun DRAM mới nhất ít bị rò rỉ dòng điện hơn so với các bộ nhớ DRAM khác.
Cũng theo Samsung, công nghệ HKMG cũng sẽ cho phép mô-đun mới sử dụng ít năng lượng hơn khoảng 13% so với các mô-đun bộ nhớ tiền nhiệm, khiến nó trở nên đặc biệt hấp dẫn đối với các trung tâm dữ liệu.
Được biết, Samsung đã bắt đầu áp dụng công nghệ HKMG cho các sản phẩm bộ nhớ của mình vào năm 2018. Bắt đầu từ năm ngoái, họ cũng áp dụng quy trình khắc tia cực tím (EUV) vào sản xuất DRAM của mình. Trong một tuyên bố, Samsung cho rằng họ là công ty duy nhất hiện nay có thể kết hợp công nghệ logic tiên tiến của HKMG vào việc phát triển sản phẩm bộ nhớ.
Bên cạnh mô-đun RAM 512GB DDR5, Samsung hiện đang cung cấp mẫu các biến thể khác nhau của dòng sản phẩm bộ nhớ DDR5 của mình cho khách hàng để được xác minh và chứng nhận.
Đại diện Intel cho biết: “Khi lượng dữ liệu được di chuyển, lưu trữ và xử lý tăng lên theo cấp số nhân, việc chuyển đổi sang DDR5 là điều quan trọng đối với các trung tâm dữ liệu đám mây và mạng”.
“Các nhóm kỹ sư của Intel hợp tác chặt chẽ với các nhà lãnh đạo bộ nhớ như Samsung để cung cấp bộ nhớ DDR5 nhanh, tiết kiệm điện, được tối ưu hóa hiệu suất và tương thích với bộ vi xử lý Intel Xeon Scalable sắp tới của chúng tôi, có tên mã là Sapphire Rapids”, Chủ tịch mảng bộ nhớ và công nghệ nhập/xuất Carolyn Duran của Intel cho hay.
Trước Samsung, đối thủ đồng hương là SK Hynix cũng đã giới thiệu mô-đun DRAM DDR5 đầu tiên của mình vào tháng 10 năm ngoái./.